JCS75N75F Datasheet, PDF (3/11 Pages) JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. – High efficiency switching DC/DC converters and

R
JCS75N75F
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
项目
符号
测试条件
最大 典型 最 大单 位
Parameter
关态特性 Off –Characteristics
Symbol
Tests conditions
Min Typ Max Units
漏－源击穿电压
Drain-Source Voltage
BV_DSS B
B
IB_DB=250μA, VB_GSB=0V
75 - - V
击穿电压温度特性
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
ΔBVB_DSSB/Δ
T_JB
B
IB_DB=1mA,
referenced
to
25℃
- 0.08 -
V/℃
零栅压下漏极漏电流
Zero Gate Voltage Drain Current
I_DSS B
B
正向栅极体漏电流
Gate-body leakage current, forward ^IBGSSFB
VB_DSB=75V,VB_GSB=0V, TB_CB=25℃
-
- 1 μA
VB_DSB=75V, TB_CB=125℃
- - 10 μA
VB_DSB=0V,
V_GS B
B
=20V
- - 100 nA
反向栅极体漏电流
Gate-body leakage current, reverse ^IBGSSRB
VB_DSB=0V,
V_GS B
B
=-20V
- - -100 nA
通态特性 On-Characteristics
阈值电压
Gate Threshold Voltage
VB_GS(th)B
V = V , _DS B
B
GS ^B
B
IB_DB=250μA
2.0 - 4.0 V
静态导通电阻
Static Drain-Source On-Resistance ^RBDS(ON)B
V_GS B
B
=10V
,
IB_DB=40A
- 9.0 11.0 mΩ
正向跨导
Forward Transconductance
g_fsB
B
V_DS B
B
=
10V
,
IB_DB=40A（note
4）
-
68
-
S
动态特性 Dynamic Characteristics
输入电容
Input capacitance
输出电容
Output capacitance
C_iss B
B
C_oss B
B
VB_DSB=25V,
V_GS B
B
=0V,
f=1.0MHB_ZB
- 4230 - pF
- 821 - pF
反向传输电容
Reverse transfer capacitance
C_rss B
B
- 55 - pF
版本：201504B
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