JCS630 Datasheet, PDF (4/14 Pages) JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. – N-CHANNEL MOSFET

R
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
开关特性 Switching Characteristics
延迟时间 Turn-On delay time
上升时间 Turn-On rise time
t_d(on)
t_r
V_DD=100V,I_D=9.0A,R_G=25Ω
（note 4，5）
延迟时间 Turn-Off delay time
t_d(off)
下降时间 Turn-Off Fall time
t_f
栅极电荷总量 Total Gate Charge Q_g
栅－源电荷 Gate-Source charge Q_gs
栅－漏电荷 Gate-Drain charge Q_gd
V_DS =160V ,
I_D=9.0A
V_GS =10V （note 4，5）
JCS630
- 11 30 ns
- 70 150 ns
- 60 130 ns
- 65 140 ns
- 22 29 nC
- 3.6 - nC
- 10.2 - nC
漏－源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain
-Source Diode Forward Current
正向最大脉冲电流
I_S
- - 9.0 A
Maximum Pulsed Drain-Source
Diode Forward Current
正向压降
I_SM
- - 36 A
Drain-Source Diode Forward
V_SD
V_GS=0V, I_S=9.0A
- - 1.5
Voltage
反向恢复时间
Reverse recovery time
反向恢复电荷
Reverse recovery charge
t_rr
V_GS=0V, I_S=9.0A
- 140 -
dI_F/dt=100A/μs (note 4)
Q_rr
- 0.87 -
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项目
Parameter
最大
符号
Max
Symbol
JCS630V/R JCS630S/B/C JCS630F
结到管壳的热阻
Thermal Resistance, Junction to Case
Rth(j-c)
2.70
1.74
3.33
结到环境的热阻
Rth(j-A)
110
Thermal Resistance, Junction to Ambient
62.5
62.5
V
ns
μC
单
位
Unit
℃/W
℃/W
注释：
1：脉冲宽度由最高结温限制
2：L=25mH, I_AS=9.0A, V_DD=50V, R_G=25 Ω,起始结
温 T_J=25℃
3：I_SD ≤9.0A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BV_DSS,起始结温
T_J=25℃
4：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs,占空比≤2％
5：基本与工作温度无关
Notes:
1：Pulse width limited by maximum junction
temperature
2：L=25mH, I_AS=9.0A, V_DD=50V, R_G=25 Ω,Starting
T_J=25℃
3：I_SD ≤9.0A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BV_DSS, Starting
T_J=25℃
4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％
5：Essentially independent of operating temperature
版本：201007A
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