JCS630 Datasheet, PDF (2/14 Pages) JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. – N-CHANNEL MOSFET

R
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
JCS630
项目
Parameter
最高漏极－源极直流电压
Drain-Source Voltage
符号
Symbol
JCS630V/R
数值
Value
JCS630S/B/C
V_DSS
200
连续漏极电流
I_D
9.0
T=25℃
Drain Current -continuous
T=100℃
5.7
最大脉冲漏极电流（注 1）
Drain Current - pulse
I_DM
36
（note 1）
最高栅源电压
Gate-Source Voltage
V_GSS
±30
单脉冲雪崩能量（注 2）
Single Pulsed Avalanche
E_AS
160
Energy（note 2）
雪崩电流（注 1）
Avalanche Current（note 1） ^IAR
9.0
重复雪崩能量（注 1）
Repetitive Avalanche Current E_AR
7.2
（note 1）
二极管反向恢复最大电压变化
速率（注 3）
dv/dt
5.5
Peak Diode Recovery dv/dt
（note 3）
耗散功率
Power Dissipation
P_D
T_C=25℃
-Derate
above
25℃
48
0.39
72
0.57
最高结温及存储温度
Operating and Storage
Temperature Range
T_J，T_STG
-55～+150
引线最高焊接温度
Maximum Lead Temperature T_L
300
for Soldering Purposes
*漏极电流由最高结温限制
*Drain current limited by maximum junction temperature
JCS630F
9.0*
5.7*
36*
38
0.3
单
位
Unit
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/℃
℃
℃
版本：201007A
2/14