JCS20N60WH Datasheet, PDF (4/8 Pages) JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. – High efficiency switch mode power supplies

R
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
JCS20N60WH
项目
符号
测试条件
最小 典型 最大 单位
Parameter
Symbol
Tests conditions
Min Typ Max Units
开关特性 Switching –Characteristics
延迟时间 Turn-On delay time
上升时间 Turn-On rise time
t_d(on) V_DD=250V,I_D=20A,R_G=25Ω
t_r
（note 4，5）
- 60 128 ns
- 130 270 ns
延迟时间 Turn-Off delay time
t_d(off)
- 220 445 ^ns
下降时间 Turn-Off Fall time
栅极电荷总量 Total Gate Charge
栅－源电荷 Gate-Source charge
栅－漏电荷 Gate-Drain charge
t_f
Q_g
V_DS =480V ,
Q_gs
I_D=20A
Q_gd
V_GS =10V（note 4，5）
- 70 145 ns
- 50 80 nC
- 15.0 - nC
- 23 - ^nC
漏－源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain-Source
Diode Forward Current
正向最大脉冲电流
I_S
- - 20 A
Maximum Pulsed Drain-Source Diode
I_SM
Forward Current
正向最大连续电流
- - 80 A
Maximum Continuous Drain-Source V_SD V_GS=0V, I_S=20A
-
Diode Forward Current
反向恢复时间
Reverse recovery time
t_rr
V_GS=0V, I_S=20A
460
反向恢复电荷
Reverse recovery charge
dI_F/dt=100A/μs (note 4)
Q_rr
5.1
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项目
Parameter
符号
Symbol
最大值
Value
JCS20N60WH
结到管壳的热阻
Thermal Resistance, Junction to Case
Rth(j-c)
0.46
结到环境的热阻
Rth(j-A)
40.0
Thermal Resistance, Junction to Ambient
1.4 V
ns
μC
单位
Unit
℃/W
℃/W
注：
1：脉冲宽度由最高结温限制
2：L=5.0mH, I_AS=20A, V_DD=50V, R_G=25 Ω,起始结温
T_J=25℃
3：I_SD ≤20A,di/dt ≤200A/μs, VDD≤BV_DSS,起始结温 T_J=25℃
4：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs,占空比≤2％
5：基本与工作温度无关
Notes:
1：Pulse width limited by maximum junction temperature
2：L=5.0mH, I_AS=20A, V_DD=50V, R_G=25 Ω,Starting
T_J=25℃
3：I_SD ≤20A,di/dt ≤200A/μs, VDD≤BV_DSS, Starting T_J=25℃
4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs, Duty Cycle≤2％
5：Essentially independent of operating temperature
版本：201409B
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