JCS15N65H Datasheet, PDF (4/9 Pages) JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. – High efficiency switch mode power supplies

R
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
JCS15N65H
开关特性 Switching Characteristics
项目
符号
测试条件
最大 典型 最 大单 位
Parameter
Symbol
Tests conditions Min Typ Max Units
延迟时间 Turn-On delay time t_d(on)
上升时间 Turn-On rise time
t_r
延迟时间 Turn-Off delay time t_d(off)
下降时间 Turn-Off Fall time
t_f
栅极电荷总量 Total Gate Charge Qg
栅－源电荷 Gate-Source charge Qgs
栅－漏电荷 Gate-Drain charge Q_gd
-
V_DD=325V,I_D=15A,R_G=25 _-
Ω
-
（note 4，5）
-
V_DS =520V ,
-
I_D=15A
-
V_GS=10V （note 4，5） _-
48 60 ns
116.8 145 ns
64 80 ns
41.6 52 ns
35.2 45 nC
11.9 - nC
13.9 - nC
漏－源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain
I_S
- - 15 A
-Source Diode Forward Current
正向最大脉冲电流
Maximum Pulsed Drain-Source
I_SM
- - 60 A
Diode Forward Current
正向压降
Drain-Source Diode Forward V_SD
Voltage
V_GS=0V, I_S=15.0A
- - 1.4 V
反向恢复时间
Reverse recovery time
t_rr
反向恢复电荷
Reverse recovery charge
Q_rr
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
V_GS=0V, I_S=15.0A
dI_F/dt=100A/μs (note 4)
- 853 - ns
- 5843 - nC
项目
Parameter
符号
Symbol
最大
Max
JCS15N65FH
单位
Unit
结到管壳的热阻
Thermal Resistance, Junction to Case
R_th(j-c)
2.03
℃/W
结到环境的热阻
Thermal Resistance, Junction to Ambient
R_th(j-A)
39.1
℃/W
注释：
1：脉冲宽度由最高结温限制
2：L=0.5mH, IAS=15A, VDD=50V, RG=25 Ω,起始结
温TJ=25℃
3：ISD ≤15A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BVDSS,起始结温
TJ=25℃
4：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs,占空比≤2％
5：基本与工作温度无关
Notes:
1：Pulse width limited by maximum junction temperature
2：L=0.5mH, IAS=15A, VDD=50V, RG=25 Ω,Starting
TJ=25℃
3：ISD ≤15A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BVDSS, Starting
TJ=25℃
4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％
5：Essentially independent of operating temperature
版本：201505A
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