JCS12N60T Datasheet, PDF (2/10 Pages) JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. – N-CHANNEL MOSFET

R
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
JCS12N60T
项目
Parameter
最高漏极－源极直流电压
Drain-Source Voltage
符号
Symbol
V_DSS
数值
Value
JCS12N60CT JCS12N60FT
600
600
连续漏极电流
Drain Current -continuous
I_D
12
12*
T=25℃
T=100℃
7.6
7.6*
最大脉冲漏极电流（注 1）
Drain Current - pulse
（note 1）
I_DM
48
48*
最高栅源电压
Gate-Source Voltage
V_GSS
±30
单脉冲雪崩能量（注 2）
Single Pulsed Avalanche Energy（note 2） ^EAS
880
雪崩电流（注 1）
Avalanche Current（note 1）
I_AR
12
重复雪崩能量（注 1）
Repetitive Avalanche Current（note 1） ^EAR
25
二极管反向恢复最大电压变化速率（注 3）
Peak Diode Recovery dv/dt（note 3）
dv/dt
4.5
耗散功率
Power Dissipation
P_D
T_C=25℃
250
51
-Derate
above
2.0
0.41
25℃
最高结温及存储温度
Operating and Storage Temperature
Range
引线最高焊接温度
T_J，T_STG
55～+150
Maximum Lead Temperature for
T_L
300
Soldering Purposes
*漏极电流由最高结温限制
*Drain current limited by maximum junction temperature
单位
Unit
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/℃
℃
℃
版本：201010C
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