3CT1S Datasheet, PDF (2/5 Pages) JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. – AC switching

R
3CT1S
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTIC (T_C=25℃)
项目
符号
测试条件
Parameter
Symbol
Condition
峰值重复断态电流
Peak Repetitive Blocking _IDRM ^{VDM=VDRM, Tj=110℃,}
Current
gate open
峰值通态电压
Peak on-state voltage ^{VTM ITM=2A}
最小 典型 最大 单位
Min Typ Max Unit
-
- ^0.1 mA
- 1.5 1.8 V
门极触发电流
Gate trigger current
MT1(-),MT2(+),G(+) -
V_DM=12V, MT1(-),MT2(+),G(-) -
I_{GT RL=100Ω MT1(+),MT2(-),G(-)}
-
MT1(+),MT2(-),G(+) -
- 5 mA
- 5 mA
- 5 mA
- 7 mA
MT1(-),MT2(+),G(+) -
- 1.1 V
门极触发电压
Gate trigger voltage
V_DM=12V, MT1(-),MT2(+),G(-) -
V_{GT RL=100Ω MT1(+),MT2(-),G(-)}
-
- 1.1 V
- 1.1 V
维持电流
Holding current
MT1(+),MT2(-),G(+) -
I_H V_DM=12V, I_GT=0.1A
-
- 1.3 V
- 5 mA
断态临界电压上升率
V_DM=67% V_DRM(MAX),
Rise of off- state voltage
dV/dt
Tj=110℃, gate open
10 -
- V/μs
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项目
Parameter
结到引线的热阻
Thermal resistance
junction to lead
符号
Symbol
条件
Condition
R_th(j-l) ^{full cycle}
最小 典型 最大 单位
Min Typ Max Unit
-
- 75 ℃/W
版本：201510G
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