3CT1S Datasheet, PDF (1/5 Pages) JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. – AC switching

双向晶闸管
R
TRIACS
3CT1S
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ^{封装 Package}
I_T(RMS)
V_DRM
I_GT
0.8A
600V
5mA
用途
APPLICATIONS
序号
Pin
1
2
3
引线名称
Description
主电极 1 MT1
门极
G
主电极 2 MT2
z 交流开关
z 相位控制
z AC switching
z Phase control
TO-92
产品特性
FEATURES
z 玻璃钝化芯片， z Glass-passivated mesa
高 可 靠 性 和 一 chip for reliability and
致性
uniform
z 低通态电流和高
浪涌电流能力
z 环保 RoHS 产品
z Low on-state voltage and
High I_TSM
z RoHS products
订货信息 ORDER MESSAGES
订货型号
印记
封装
包
装
Order code
3CT1S-O-T-N-C
Marking
3CT1S
Package
TO-92
Packaging
袋装 Bag
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (T_C=25℃)
项目
Parameter
重复峰值断态电压
Repetitive peak off-state voltage
符号
Symbol
V_DRM
试验条件
Condition
数 值 单位
Value Unit
±600 V
通态方均根电流 On-state RMS current
非 重 复 浪 涌 峰 值 通 态 电 流 Non-
repetitive surge peak on-state current
I_T(RMS)
I_TSM
full sine wave
full sine wave ,t=20ms
full sine wave ,t=16.7ms
0.8 A
8
A
9
A
I²t t=10ms
通态电流临界上升率 Repetitive rate of
rise of on-state current after triggering ^dI/dt
0.45 A²s
20 A/μs
峰值门极电流 Peak gate current
平均门极功率 Average gate power
存储温度
Storage temperature
操作结温 Operation junction temperature
I_GM
P_G(AV)
T_stg
T_VJ
over any 20ms period
1
A
0.1 W
-40~150 ℃
110 ℃
版本：201510G
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