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FP15R12W1T4 Datasheet, PDF (9/12 Pages) Infineon Technologies AG – EasyPIM™ module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC | |||
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FP15R12W1T4
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EÃþà = f (IÅ)
Râ¢Ãà = 39 Ã, Vâ Å = 600 V
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EÃþà = f (Râ¢)
IÅ = 15 A, Vâ Å = 600 V
1,4
EÃþÃ, TÃà = 125°C
EÃþÃ, TÃà = 150°C
1,2
1,0
0,8
0,6
0,4
0,2
0,0 0
5
10 15 20 25 30
IÅ [A]
1,0
EÃþÃ, TÃà = 125°C
0,9
EÃþÃ, TÃà = 150°C
0,8
0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0 0 40 80 120 160 200 240 280 320 360 400
R⢠[Ã]
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.
transient thermal impedance diode-inverter
ZÃÃÅ⢠= f (t)
Durchlasskennlinie der Diode-Gleichrichter (typisch)
forward characteristic of diode-rectifier (typical)
IÅ = f (VÅ)
10
ZÃÃÅ⢠: Diode
30
TÃà = 25°C
TÃà = 150°C
25
20
1
15
10
0,10,001
i:
1
2
3
4
rÃ[K/W]: 0,404 0,664 1,174 0,808
ÏÃ[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2
0,01
0,1
1
10
t [s]
5
00,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4
VÅ [V]
prepared by: DK
approved by: MB
date of publication: 2009-10-30
revision: 2.2
9
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