FF1200R17KP4_B2_16 Datasheet, PDF (7/10 Pages) Infineon Technologies AG – IHM-A Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 3 Diode

TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FF1200R17KP4_B2
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
2400
2200
2000
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
VF [V]
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=0.68Ω,VCE=900V
500
450
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
400
350
300
250
200
150
100
50
0
2,5
0
400 800 1200 1600 2000
IF [A]
2400
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=1200A,VCE=900V
450
425
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)
100
ZthJC : Diode
400
375
350
325
300
10
275
250
225
200
175
i:
1
2
3
4
ri[K/kW]: 5,561 18,42 5,837 1,712
τi[s]:
0,002 0,051 0,441 7,373
150
1
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0
0,001
0,01
0,1
1
10
RG [Ω]
t [s]
preparedby:WB
approvedby:IB
dateofpublication:2016-03-09
revision:V3.1
7