English
Language : 

FF1200R17KP4_B2_16 Datasheet, PDF (1/10 Pages) Infineon Technologies AG – IHM-A Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 3 Diode
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
FF1200R17KP4_B2
IHM-AModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled3Diode
IHM-AmodulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled3diode
TypischeAnwendungen
• Hochleistungsumrichter
• Mittelspannungsantriebe
• Motorantriebe
• Traktionsumrichter
• Windgeneratoren
ElektrischeEigenschaften
• ErweiterteSperrschichttemperaturTvjop
• NiedrigesVCEsat
• Tvjop=150°C
• VerstärkteDiodefürRückspeisebetrieb
MechanischeEigenschaften
• 4kVAC1minIsolationsfestigkeit
• AlSiC Bodenplatte für erhöhte thermische
Lastwechselfestigkeit
• HoheLast-undthermischeWechselfestigkeit
• HoheLeistungsdichte
• Standardgehäuse
VCES = 1700V
IC nom = 1200A / ICRM = 2400A
TypicalApplications
• Highpowerconverters
• Mediumvoltageconverters
• Motordrives
• Tractiondrives
• Windturbines
ElectricalFeatures
• ExtendedoperatingtemperatureTvjop
• LowVCEsat
• Tvjop=150°C
• Enlargeddiodeforregenerativeoperation
MechanicalFeatures
• 4kVAC1mininsulation
• AlSiC base plate for increased thermal cycling
capability
• Highpowerandthermalcyclingcapability
• Highpowerdensity
• Standardhousing
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:WB
approvedby:IB
ContentoftheCode
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
dateofpublication:2016-03-09
revision:V3.1
1
Digit
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23