CLY29 Datasheet, PDF (7/9 Pages) Infineon Technologies AG – HiRel C-Band GaAs Power-MESFET

CLY29
Typical Common Source S-Parameters (continued)
f
[GHz]
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1,0
1,1
1,2
1,3
1,4
1,5
1,6
1,7
1,8
1,9
2,0
2,1
2,2
2,3
2,4
2,5
2,6
2,7
2,8
2,9
3,0
3,1
3,2
3,3
3,4
3,5
3,6
3,7
3,8
3,9
4,0
4,1
4,2
4,3
4,4
4,5
4,6
4,7
4,8
4,9
5,0
|S11|
[mag]
0,874
0,852
0,829
0,810
0,796
0,791
0,786
0,782
0,778
0,775
0,772
0,770
0,768
0,767
0,766
0,765
0,765
0,764
0,764
0,764
0,764
0,764
0,764
0,764
0,764
0,764
0,765
0,765
0,765
0,766
0,766
0,766
0,767
0,768
0,769
0,769
0,770
0,771
0,772
0,772
0,773
0,775
0,776
0,778
0,779
0,781
<S11
[ang]
-76
-80
-86
-93
-100
-108
-115
-122
-128
-134
-140
-144
-149
-153
-157
-161
-165
-168
-171
-174
-177
-179
178
176
173
171
169
166
164
162
160
158
156
154
152
150
148
146
144
142
140
138
136
135
134
133
V_DS = 9 V, I_D = 180 mA, Z_o = 50 Ω
|S21| <S21 |S12| <S12 |S22| <S22
[mag] [ang] [mag] [ang] [mag] [ang]
8,885 129 0,0245 51 0,272 -48
8,544 126 0,0257 48 0,266 -52
8,159 122 0,0269 46 0,261 -56
7,748 118 0,0283 43 0,256 -60
7,326 113 0,0296 40 0,252 -65
6,913 108 0,0312 37 0,249 -71
6,519 103 0,0324 34 0,248 -77
6,147 98 0,0335 32 0,247 -82
5,801 93 0,0342 30 0,248 -86
5,482 89 0,0350 28 0,249 -91
5,187 84 0,0355 27 0,252 -95
4,916 81 0,0360 25 0,256 -99
4,665 77 0,0363 24 0,260 -103
4,433 73 0,0367 22 0,265 -107
4,220 70 0,0370 21 0,270 -110
4,024 66 0,0371 21 0,277 -114
3,840 63 0,0373 20 0,283 -117
3,672 60 0,0375 19 0,290 -120
3,516 57 0,0377 18 0,297 -123
3,372 54 0,0379 17 0,305 -126
3,238 51 0,0382 17 0,313 -128
3,112 48 0,0385 16 0,320 -131
2,995 45 0,0386 16 0,328 -133
2,885 43 0,0388 17 0,337 -136
2,782 40 0,0393 17 0,344 -138
2,686 37 0,0396 17 0,352 -140
2,596 35 0,0400 17 0,360 -142
2,512 32 0,0406 17 0,368 -145
2,432 30 0,0411 17 0,377 -147
2,357 27 0,0416 17 0,386 -149
2,286 25 0,0422 17 0,394 -151
2,218 22 0,0429 17 0,403 -153
2,152 20 0,0436 17 0,411 -155
2,091 17 0,0444 17 0,420 -157
2,034 15 0,0451 17 0,428 -159
1,977 12 0,0458 17 0,436 -162
1,924 10 0,0466 17 0,445 -164
1,872 8 0,0472 17 0,452 -166
1,822 5 0,0481 17 0,460 -168
1,773 3 0,0491 17 0,468 -170
1,727 1 0,0500 16 0,476 -172
1,683 -2 0,0510 16 0,485 -174
1,644 -4 0,0517 16 0,493 -176
1,611 -6 0,0527 16 0,500 -177
1,584 -7 0,0533 16 0,507 -178
1,562 -9 0,0539 16 0,512 -179
k-Fact. S₂₁/S₁₂
[mag] [dB]
0,48 25,6
0,56 25,2
0,64 24,8
0,70 24,4
0,75 23,9
0,76 23,5
0,79 23,0
0,82 22,6
0,86 22,3
0,89 21,9
0,93 21,6
0,97 21,4
1,01 21,1
1,06 20,8
1,10 20,6
1,15 20,4
1,19 20,1
1,23 19,9
1,27 19,7
1,31 19,5
1,35 19,3
1,38 19,1
1,42 18,9
1,46 18,7
1,49 18,5
1,52 18,3
1,54 18,1
1,56 17,9
1,58 17,7
1,59 17,5
1,60 17,3
1,61 17,1
1,62 16,9
1,61 16,7
1,61 16,5
1,62 16,4
1,62 16,2
1,62 16,0
1,62 15,8
1,61 15,6
1,60 15,4
1,59 15,2
1,58 15,0
1,55 14,9
1,54 14,7
1,52 14,6
MAG
[dB]
20,4
19,4
18,7
18,0
17,5
17,0
16,5
16,1
15,8
15,4
15,0
14,7
14,4
14,1
13,8
13,5
13,3
13,0
12,8
12,5
12,3
12,1
11,9
11,7
11,6
11,4
11,2
11,0
10,8
10,7
10,6
10,5
10,4
10,4
Semiconductor Group
7 of 10
Draft D, September 99