FZ2400R17HE4P_B9 Datasheet, PDF (5/9 Pages) Infineon Technologies AG – IHM-B Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode und bereits aufgetragenem Thermal Interface Material

FZ2400R17HE4P_B9
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
4800
4400
4000
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
3600
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
4800
4400
4000
3600
VGE = 20V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 9V
VGE = 8V
3200
3200
2800
2800
2400
2400
2000
2000
1600
1600
1200
1200
800
800
400
400
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0
VCE [V]
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VCE [V]
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
4800
4400
4000
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
3600
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=0.8Ω,RGoff=0.8Ω,VCE=900V
2500
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
2000
3200
2800
1500
2400
2000
1600
1000
1200
500
800
400
0
5
6
7
8
9 10 11 12 13
VGE [V]
0
0
800 1600 2400 3200 4000 4800
IC [A]
Datasheet
5
V3.0
2016-10-17