FZ2400R17HE4P_B9 Datasheet, PDF (3/9 Pages) Infineon Technologies AG – IHM-B Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode und bereits aufgetragenem Thermal Interface Material

FZ2400R17HE4P_B9
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 2400 A, VGE = 0 V
IF = 2400 A, VGE = 0 V
IF = 2400 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 2400 A, - diF/dt = 11500 A/µs (Tvj=150°C)Tvj = 25°C
VR = 900 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
IF = 2400 A, - diF/dt = 11500 A/µs (Tvj=150°C)Tvj = 25°C
VR = 900 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
IF = 2400 A, - diF/dt = 11500 A/µs (Tvj=150°C)Tvj = 25°C
VR = 900 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Tvj = 150°C
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
Thermalresistance,junctiontoheatsink
proDiode/perdiode
validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
VRRM 
1700
V
IF 
2400
A
IFRM 
I²t 
4800
1000
940
A

kA²s
kA²s
VF
IRM
Qr
Erec
RthJH
min. typ. max.
1,80 2,20 V
1,90 2,30 V
1,95 2,40 V
1950
A
2450
A
2600
A
530
µC
960
µC
1100
µC
330
mJ
660
mJ
790
mJ
20,2 K/kW
Tvj op -40
150 °C
Datasheet
3
V3.0
2016-10-17