DD800S45KL3_B5 Datasheet, PDF (4/7 Pages) Infineon Technologies AG – hochisolierendes Modul

TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
DD800S45KL3_B5
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
1600
1400
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
-diF/dt=3300A/µs,VCE=2800V
3200
Erec, Tvj = 125°C
2800
1200
2400
1000
2000
800
1600
600
1200
400
800
200
400
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5
VF [V]
0
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600
IF [A]
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=800A,VCE=2800V
2800
Erec, Tvj = 125°C
2400
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)
100
ZthJC : Diode
2000
10
1600
1200
1
800
400
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
RG [Ω]
0,1
0,001
preparedby:WB
approvedby:DTS
dateofpublication:2016-05-31
revision:V3.0
4
i:
1
2
3
4
ri[K/kW]: 5,222 15,1 3,423 1,746
τi[s]:
0,004 0,048 0,247 4,383
0,01
0,1
1
10
t [s]