DD800S45KL3_B5 Datasheet, PDF (2/7 Pages) Infineon Technologies AG – hochisolierendes Modul

TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul
IGBT-Module
DD800S45KL3_B5
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 125°C
Tvj = 25°C
Tvj = -40°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
Spitzenverlustleistung
Maximumpowerdissipation
Tvj = 125°C
Mindesteinschaltdauer
Minimumturn-ontime
VRRM 
IF 
IFRM 
I²t 
PRQM 
ton min 
4500
4500
4500
800
1600
255
1600
10,0
V
A
A
 kA²s
 kW
 µs
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 800 A, VGE = 0 V
IF = 800 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 800 A, - diF/dt = 3300 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 2800 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
IF = 800 A, - diF/dt = 3300 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 2800 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
IF = 800 A, - diF/dt = 3300 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 2800 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
VF
IRM
Qr
Erec
RthJC
RthCH
Tvj op
min. typ. max.
2,50 3,10 V
2,50 3,00 V
1000
A
1150
A
770
µC
1400
µC
1200
mJ
2400
mJ
25,5 K/kW
21,0
K/kW
-50
125 °C
preparedby:WB
approvedby:DTS
dateofpublication:2016-05-31
revision:V3.0
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