DD400S45KL3_B5 Datasheet, PDF (4/7 Pages) Infineon Technologies AG – Technische Information / Technical Information

TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
DD400S45KL3_B5
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
800
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
700
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
-diF/dt=1670Aµs,VCE=2800V
1600
Erec, Tvj = 125°C
1400
600
1200
500
1000
400
800
300
600
200
400
100
200
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5
VF [V]
0
0 100 200 300 400 500 600 700 800
IF [A]
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=400A,VCE=2800V
1500
Erec, Tvj = 125°C
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)
100
ZthJC : Diode
1250
1000
10
750
500
1
250
0
0 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30
RG [Ω]
0,1
0,001
0,01
preparedby:MW
approvedby:DTS
dateofpublication:2013-07-29
revision:3.0
4
i:
1
2
3
4
ri[K/kW]: 10,57 30,56 6,928 3,533
τi[s]:
0,004 0,048 0,2467 4,383
0,1
1
t [s]
10
100