DD1200S33K2C Datasheet, PDF (3/6 Pages) Infineon Technologies AG – Diode, Wechselrichter / Diode, Inverter

TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
DD1200S33K2C
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
2400
2000
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
1600
1200
800
400
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=Ω,VCE=1800V
2500
Erec, Tvj = 125°C
2000
1500
1000
500
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0
VF [V]
0
0 300 600 900 1200 1500 1800 2100 2400
IF [A]
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=1200A,VCE=1800V
2500
Erec, Tvj = 125°C
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)
100
ZthJC : Diode
2000
10
1500
1000
1
500
0
0,1
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
0,001
0,01
RG [Ω]
preparedby:SB
approvedby:DTS
dateofpublication:2013-11-25
revision:3.1
3
i:
1234
ri[K/kW]: 7,65 4,25 1,02 4,08
τi[s]:
0,03 0,1 0,3 1
0,1
1
10
t [s]