DD1200S33K2C Datasheet, PDF (1/6 Pages) Infineon Technologies AG – Diode, Wechselrichter / Diode, Inverter

TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
DD1200S33K2C
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
Tvj = -25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent

PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
Spitzenverlustleistung
Maximumpowerdissipation
Tvj = 125°C
Mindesteinschaltdauer
Minimumturn-ontime

VRRM 
IF 
IFRM 
I²t 
PRQM 
ton min 
3300
3300
1200
2400
500
2400
10,0
V
A
A
 kA²s
 kW
 µs
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 1200 A, VGE = 0 V
IF = 1200 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 1200 A, - diF/dt = 6800 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 1800 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
IF = 1200 A, - diF/dt = 6800 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 1800 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
IF = 1200 A, - diF/dt = 6800 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 1800 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions

VF
IRM
Qr
Erec
RthJC
RthCH
Tvj op
min. typ. max.
2,80 3,50 V
2,80 3,50 V
1700
A
 2000  A
710
µC
 1300  µC
735
mJ
 1550  mJ

 17,0 K/kW
 12,0
K/kW
-40  125 °C
preparedby:SB
approvedby:DTS
dateofpublication:2013-11-25
revision:3.1
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