DDB6U134N16RR Datasheet, PDF (2/13 Pages) Infineon Technologies AG – Diode Module with Chopper-IGBT

Technische Information / Technical Information
DD B6U 134 N 16 RR ^{Dioden-Modul mit Chopper-IGBT}
Diode Module with Chopper-IGBT
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
IGBT
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
Gate-Emitter-Schwellspannung
gate-emitter threshold voltage
Eingangskapazität
input capacitance
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
gate leakage current
Emitter-Gate Reststrom
gate-leakage current
Schnelle Diode / Fast diode
Durchlaßspannung
forward voltage
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
T_vj = 25°C, i_C = 70A, v_GE = 15V
T_vj = 125°C, i_C = 70A, v_GE = 15V
T_vj = 25°C, i_C = 3mA, v_GE = v_CE
T_vj = 25°C, f₀ = 1MHz,
v_CE = 25V, v_GE = 0V
T_vj = 25°C, v_CE = 1200V, v_GE = 0V
T_vj = 125°C, v_CE = 1200V, v_GE = 0V
T_vj = 25°C, v_CE = 0V, v_GE = 20V
T_vj = 25°C, v_CE = 0V, v_EG = 20V
T_vj = 25°C, i_F = 35A
T_vj = 125°C, i_F = 35A
i_FM = 35A, -di/dt = 900A/µs, v_R = 600V
T_vj = 25°C
T_vj = 125°C
v_{CE sat}
v_GE(TO)
C_ies
i_CES
i_GES
i_EGS
v_F
Q_r
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Gleichrichter / Rectifier, Θ = 120°rect
Transistor / Transistor, DC
Schnelle Diode / Fast diode, DC
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Gleichrichter / Rectifier
Transistor / Transistor
Schnelle Diode / Fast diode
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
R_thJC
R_thCK
T_{vj max}
T_{c op}
T_stg
N
B6
min. typ. max.
2,05 2,75 V
2,40
4,5 5,5 6,5 V
5,1
nF
10 500 µA
500
400 nA
400 nA
1,85 2,40 V
1,75
3,6
µAs
7,6
µAs
max. 0,70
max. 0,25
max. 0,80
max. 0,25
max. 0,16
max. 0,24
150
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C
- 40...+150 °C
- 40...+150 °C
BIP AM; R. Jörke
19. Dez 00
Seite/page 2(12)