DDB6U134N16RR Datasheet, PDF (1/13 Pages) Infineon Technologies AG – Diode Module with Chopper-IGBT

Technische Information / Technical Information
DD B6U 134 N 16 RR ^{Dioden-Modul mit Chopper-IGBT}
Diode Module with Chopper-IGBT
N
B6
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Gleichrichterdiode / Rectifierdiode
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element)
RMS forward current (per chip)
Ausgangsstrom
output current
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I²t-value
IGBT
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor-Spitzenstrom
repetitive peak collektor current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Schnelle Diode / Fast diode
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
Modul
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
Tvj = - 40°C...Tvj max
TC = 100°C
Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = Tvj max, tp = 10ms
Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = Tvj max, tp = 10ms
TC = 80°C
tp = 1ms, TC = 80°C
TC = 25°C
TC = 80°C
tp = 1ms
RMS, f = 50Hz, t = 1min
NTC connected to baseplate
VRRM
IFRMSM
Id
IFSM
I²t
VCES
IC
IC R M
Ptot
VGE
VRRM
IF
IFRM
VISOL
1600 V
80 A
134 A
650 A
550 A
2100 A²s
1500 A²s
1200 V
70 A
150 A
500 W
± 20 V
1200 V
35 A
70 A
2,5 kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Gleichrichterdiode / Rectifierdiode
Durchlaßspannung
forward voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
forward slope resistance
Sperrstrom
reverse current
Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip
lead resistance, terminals-chip
Tvj = Tvj max, iF = 100A
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
Tvj = T vj max, vR = VRRM
TC = 25°C
vF
V(TO)
rT
iR
RAA`+KK`
min. typ. max.
1,35 V
0,75 V
6,3 mΩ
5 mA
1 mΩ
prepared by: Ralf Jörke
approved by: Lothar Kleber
BIP AM; R. Jörke
19. Dez 00
date of publication: 13.12.2000
revision: 1
A 34/00
Seite/page 1(12)