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HYMD132725B8J-J Datasheet, PDF (3/16 Pages) Hynix Semiconductor – Unbuffered DDR SDRAM DIMM
HYMD132725B(L)8J-J
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
DQS0
DM0
/CS1
/CS0
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DM
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
/CS
D0
DQS
DQS1
DM1
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DM
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
/CS
D1
DQS
DQS2
DM2
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DM
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
/CS
D2
DQS
DQS3
DM3
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DM
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
/CS
D3
DQS
DQS8
DM8
CB0
CB1
CB2
CB3
CB4
CB5
CB6
CB7
DM
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
/CS
D8
DQS
DM
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
/CS
D9
DQS
DQS4
DM4
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DM
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
/CS DQS
D10
DQS5
DM5
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DM
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
/CS DQS
D11
DQS6
DM6
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DM
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
/CS DQS
D12
DQS7
DM7
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
DM
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
/CS
D4
DQS
DM
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
/CS DQS
DD1213
DM
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
/CS
D5
DQS
DM
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
/CS
D14
DQS
DM
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
/CS
D6
DQS
DM
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
/CS DQS
D15
DM
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
/CS
D7
DQS
DM
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
/CS
D16
DQS
DM
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
/CS DQS
D17
VDD SPD
VDD /VDDQ
VREF
VSS
VDDID
SPD
DO-D17
DO-D17
DO-D17
Strap:see Note 4
SCL
BA0-BA1
A0-A13
CKE1
/RAS
/CAS
CKE0
/WE
Serial PD
WP
A0 A1 A2
SA0 SA1 SA2
SDA
BA0-BA1 : SDRAMs D0-D17
A0-A13 : SDRAMs D0-D17
CKE : SDRAMs D9-D17
/RAS : SDRAMs D0-D17
/CAS : SDRAMs D0-D17
CKE : SDRAMs D0-D8
/WE : SDRAMs D0-D17
*Clock Wiring
Clock Input
SDRAMs
*CK0, /CK0
*CK1, /CK1
*CK2, /CK2
6 SDRAMs
6 SDRAMs
6 SDRAMs
Note :
*Wire per Clock Loading
Table/Wiring Diagrams
1. DQ-to-I/O wiring is shown as recommended but may
be changed.
2. DQ/DQS/DM/CKE/S relationships must be maintained
as shown.
3. DQ, DQS, DM/DQS resistors : 22 Ohms ± 5%.
4. VDDID strap connections (for memory device VDD,
VDDQ):
STRAP OUT (OPEN) : VDD = VDDQ
STRAP IN (VSS) : VDD ≠ V DDQ
5. BAx, Ax, RAS, CAS, WE resistors 3 Ohms ± 5%
Rev. 0.3/Jul. 02
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