HMT112R7TFR8A-G7 Datasheet, PDF (21/69 Pages) Hynix Semiconductor – 240pin DDR3L SDRAM Registered DIMM

4GB, 512Mx72 Module(4Rank of x8) - page2
DQS4
DQS
DQS4
DQS
DM4/TDQS13
TDQS13
TDQS
TDQS
U7
DQ[39:32]
DQ [7:0]
ZQ
DQS
DQS
TDQS
TDQS
DQ [7:0]
ZQ
U16
DQS
DQS
TDQS
TDQS
DQ [7:0]
ZQ
U25
DQS
DQS
TDQS
TDQS
DQ [7:0]
ZQ
U34
DQS5
DQS
DQS5
DQS
DM5/TDQS14
TDQS14
TDQS
TDQS
U8
DQ[47:40]
DQ [7:0]
ZQ
DQS
DQS
TDQS
TDQS
DQ [7:0]
ZQ
U17
DQS
DQS
TDQS
TDQS
DQ [7:0]
ZQ
U26
DQS
DQS
TDQS
TDQS
DQ [7:0]
ZQ
U35
DQS6
DQS
DQS6
DQS
DM6/TDQS15
TDQS15
TDQS
TDQS
U9
DQ[55:48]
DQ [7:0]
ZQ
DQS
DQS
TDQS
TDQS
DQ [7:0]
ZQ
U18
DQS
DQS
TDQS
TDQS
DQ [7:0]
ZQ
U27
DQS
DQS
TDQS
TDQS
DQ [7:0]
ZQ
U36
DQS3
DQS3
DM3/TDQS12
TDQS12
DQ[31:24]
DQS
DQS
TDQS
TDQS
DQ [7:0]
ZQ
U10
Vtt
DQS
DQS
TDQS
TDQS
DQ [7:0]
ZQ
U19
DQS
DQS
TDQS
TDQS
DQ [7:0]
ZQ
U28
DQS
DQS
TDQS
TDQS
DQ [7:0]
ZQ
U37
VDDSPD
EVENT
SCL
SDA
VDDSPD
SA0
EVENT SPD with SA1
SCL ^Integrated SA2
SDA
TS
VSS
SA0
Plan to use SPD with Integrated TS of Class B and
might be changed on customer’s requests. For more
SA1 ^{details of SPD and Thermal sensor, please contact}
local Hynix sales representative
SA2
VSS
Notes:
1. DQ-to-I/O wiring may be changed within a byte.
2. See wiring diagrams for resistor values.
3. ZQ pins of each SDRAM are connected to individual RZQ resistors (240+/-1%) ohms.
V_DDSPD
VDD
V_TT
VREFCA
VREFDQ
VSS
Serial PD
U1–U37
U1-U37
U1-U37
U1-U37
Rev. 0.1 / Dec. 2009
21