HY62UF16804A Datasheet, PDF (1/10 Pages) Hynix Semiconductor – 512Kx16bit full CMOS SRAM

HY62UF16804A Series
512Kx16bit full CMOS SRAM
Document Title
512K x16 bit 3.0V Super Low Power Full CMOS slow SRAM
Revision History
Revision No History
04
Initial Revision History Insert
Revised
- Reliability Spec Deleted
Draft Date
Jul.02.2000
Remark
Preliminary
05
Change AC Characteristics
- tBLZ : 5/5/5 ---> 10/10/10
Oct.23.2000 Preliminary
06
Part Number is changed
- HY62UF16803A --> HY62UF16804A
Nov.13.2000 Preliminary
07
Marking Instruction is inserted
Dec.5.2000 Preliminary
08
Test Condition Changed
- I_LO / I_SB / I_SB1 / V_DR / I_CCDR
Marking Istruction Inserted
Dec.16.2000 Preliminary
09
Change Logo
- Hyundai à Hynix
Apr.28.2001
10
Change DC Parameter
Jan.28.2002
- Isb1(LL) : 40uA à 25uA
- Isb1(Typ) : 8uA à 1uA
- Icc
: 5mA à 4mA
- Icc1(1us) : 8mA à 4mA
- Icc1(Min) : 50mA à 40mA
Change Data Retention
- IccDR(LL) : 25uA à 15uA
Change AC Parameter
- tOE
: 35ns à 25ns@55ns
: 40ns à 35ns@70ns
- tCW
: 50ns à 45ns@55ns
- tAW
: 50ns à 45ns@55ns
- tBW
: 50ns à 45ns@55ns
- tWP
: 45ns à 40ns@55ns
- tCHZ
- tOHZ
- tBHZ
: 30ns à 20ns@55ns , 30ns à 25ns@70ns
: 30ns à 20ns@55ns , 30ns à 25ns@70ns
: 30ns à 20ns@55ns , 30ns à 25ns@70ns
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responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.
Rev.10 /Jan2002
Hynix Semiconductor