GMBT5401 Datasheet, PDF (2/3 Pages) GTM CORPORATION – PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GMBT5401(销售型號 MMBT5401)
■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性
(T_A=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃)
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Collector-Emitter Breakdown Voltage(3)
集電極-發射極擊穿電壓(Ic=-1.0mAdc,I_B=0)
V_(BR)CEO
Collector-Base Breakdown Voltage
集電極-基極擊穿電壓(Ic=-100μAdc,I_E=0)
V_(BR)CBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
發射極基極擊穿電壓(I_E=-10μAdc,Ic=0)
Emitter Cutoff Current
發射極截止電流(V_EB=-3.0Vdc,I_c=0)
V_(BR)EBO
I_EBO
Collector Cutoff Current
集電極截止電流(V_CB=-120Vdc,I_E=0)
DC Current Gain 直流電流增益
(I_c=-1.0mAdc,V_CE=-5.0Vdc)
(I_c=-10mAdc,V_CE=-5.0Vdc)
(I_c=-50mAdc,V_CE=-5.0Vdc)
Collector-Emitter Saturation Voltage
集電極-發射極飽和壓降
(I_c=-10mAdc, I_B=-1.0mAdc)
(I_c=-50mAdc, I_B=-10mAdc)
Base-Emitter Saturation Voltage
基極-發射極飽和壓降
(I_c=-10mAdc, I_B=-1.0mAdc)
(I_c=-50mAdc, I_B=-5.0mAdc)
I_CBO
HFE
V_CE(sat)
V_BE(sat)
Current-Gain-Bandwidth Product 電流增益-帶寬乘積
(I_c=-10mAdc,V_CE=-10Vdc,f=100MHz)
fT
Output Capacitance 輸出電容
(V_CB=-10.0Vdc, I_E=0, f=1.0MHz)
Cobo
Small-Signal Current Gain 小信號電流增益
(V_CE=-10Vdc, I_C=-1.0mAdc, f=1.0KHz)
hfe
Noise Figure 噪声係數
(V_CE=-5.0Vdc, I_C=-200μAdc,R_s=1.0kΩf=1.0KHz)
NF
１．FR-5=1.0×0.75×0.062in.
２．Alumina=0.4×0.3×0.024in.99.5%alumina.
３．Pulse Width<300us;Duty Cycle<2.0%.
Min
最小值
-150
-160
-6.0
—
—
50
60
30
—
—
—
—
100
—
40
—
Max
最大值
—
—
—
-50
-50
—
240
—
-0.2
-0.5
-1.0
-1.0
300
6.0
200
8.0
Unit
單位
Vdc
Vdc
Vdc
nAdc
nAdc
—
Vdc
Vdc
MHz
pF
—
dB