B772 Datasheet, PDF (2/3 Pages) Diode Semiconductor Korea – PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd.
GMB772
■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性
(T_A=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃)
Characteristic
特性參數
Symbol Test Condition Min TYP Max Unit
符號
測試條件 最小值 典型值 最大值 單位
Collector Cutoff Current
集電極截止電流
Emitter Cutoff Current
發射極截止電流
I_CBO
V_CB=-30V,
I_E=0
—
I_EBO
V_EB=-5V,I_C=0
—
Collector-Base Breakdown Voltage
集電極-基極擊穿電壓
V_(BR)CBO I_C=-100μA
-40
Collector-Emitter Breakdown Voltage
集電極-發射極擊穿電壓
V_(BR)CEO
I_C=-10mA
-30
Emitter-Base Breakdown Voltage
發射極-基極擊穿電壓
V_(BR)EBO
I_E=-100μA
-5
DC Current Gain
直流電流增益
H_FE
V_CE=-2V,
I_C=-1A
60
Collector Saturation Voltage
集電極飽和壓降
V_CE(sat)
I_C=-2A, I_B=-
200mA
—
Base Saturation Voltage
基極飽和電壓
V_BE(sat)
I_C=-2A, I_B=-
200mA
—
Transition Frequency
特徵頻率
f_T
V_CE=-5V,
I_C=-100mA
—
Collector Output Capacitance
輸出電容
C_ob
V_CB=-10V,
I_E=0,f=1MHz
—
—
-1.0 μA
—
-1.0 μA
—
—
V
—
—
V
—
—
V
—
400
—
—
-0.5
V
—
-1.5
V
80
— MHz
55
—
pF