B772 Datasheet, PDF (1/3 Pages) Diode Semiconductor Korea – PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd.
GMB772
SOT-89 晶體管(SOT-89 transistors)
■最大額定值(T_a=25℃)
CHARACTERISTIC
特性參數
Collector-Base Voltage
集電極-基極電壓
Collect-Emitter Voltage
集電極-發射極電壓
Emitter-Base Voltage
發射極-基極電壓
Collector Current DC
集電極電流-直流
Collector Current pulse
集電極電流-脉冲
Collector Power Dissipation
集電極耗散功率
Junction Temperature
結溫
Storage Temperature Range
儲存溫度
Symbol
符號
V_CBO
V_CEO
V_EBO
Ic
Ic
P_C
T_j
T_stg
■H_FE RANGE 放大倍數分檔
60-120 100-200 160-320
200~400
Rating
額定值
-40
-30
-5.0
-3.0
-7.0
0.5
150
-55〜150
Unit
單位
V
V
V
A
A
W
℃
℃