GMS2301 Datasheet, PDF (1/3 Pages) Guilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. – P-Channel Enhancement-Mode MOSFETs

桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GMS2301
SOT-23 場效應晶體管(SOT-23 Field Effect Transistors)
P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs
P 沟道增强型 MOS 场效应管
■MAXIMUM RATINGS 最大額定值
Characteristic 特性參數
Symbol 符號
Drain-Source Voltage
漏極-源極電壓
Gate- Source Voltage
栅極-源極電壓
Drain Current (continuous)
漏極電流-連續
Drain Current (pulsed)
漏極電流-脉冲
Total Device Dissipation
總耗散功率
T_A=25℃環境溫度爲 25℃
Junction 結溫
BV_DSS
V_GS
I_D
I_DM
P_D
T_J
Storage Temperature 儲存溫度
T_stg
■DEVICE MARKING 打標
GMS2301=A1
Max 最大值
-20
+8
-2.3
-10
450
150
-55to+150
Unit 單位
V
V
A
A
mW
℃
℃