GM856 Datasheet, PDF (1/3 Pages) Guilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. – PNP General Purpose Transistor

桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GM856,857,858(销售型號 BC856,857,858)
■FEATURES 特點
PNP General Purpose Transistor
■MAXIMUM RATINGS 最大額定值
Characteristic
特性參數
Symbol GM856A,B GM857A,B,C
符號 (BC856A,B) (BC857A,B,C)
Collector-Emitter Voltage
集電極發射極電壓
VCEO
-65
-45
Collector-Base Voltage
集電極基極電壓
VCBO
-80
-50
Emitter-Base Voltage
發射極基極電壓
VEBO
-5.0
-5.0
GM858A,B,C
(BC858A,B,C)
-30
-30
-5.0
Unit
單位
Vdc
Vdc
Vdc
Collector Current Continuous
集電極電流-連續
Ic
-100
-100
-100
mAdc
■THERMAL CHARACTERISTICS 熱特性
Characteristic 特性參數
Total Device Dissipation 總耗散功率
FR-5 Board(1)
T_A=25℃溫度爲 25℃
Derate above25℃ 超過 25℃ 遞減
Total Device Dissipation 總耗散功率
Alumina Substrate 氧化鋁襯底,(2)T_A=25℃
Derate above25℃ 超過 25℃遞減
Symbol 符號
P_D
P_D
Max 最大值
225
1.8
300
2.4
Unit 單位
mW
mW/℃
mW
mW/℃
Thermal Resistance Junction to Ambient 熱阻
R_ΘJA
417
℃/W
Junction and Storage Temperature
結溫和儲存溫度
TJ,Tstg
-55to+150℃
■DEVICE MARKING 打標
GM856A(BC856A)=3A;GM856B(BC856B)=3B;
GM857A(BC857A)=3E;GM857B(BC857B)=3F;GM857C(BC857C)=3G
GM858A(BC858A)=3J; GM858B(BC858B)=3K;GM858C(BC858C)=3L