MUR860E Datasheet, PDF (2/6 Pages) Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. – TO-277 Plastic package Schottky diode

MUR860E
Rev.F May.-2016
极限参数 / Absolute Maximum Ratings(Ta=25℃)
参数
Parameter
Peak Repetitive Reverse Voltage
RMS Reverse voltage
Average Rectified Forward Current
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
Thermal Resistance Junction to Case
Junction and Storage Temperature Range
符号
Symbol
V_RRM
V_RMS
I_F
I_FSM
R_θJc
T_j T_stg
DATA SHEET
数值
Rating
600
420
8
125
3.5
-55～150
单位
Unit
V
V
A
A
℃ /W
℃
电性能参数 / Electrical Characteristics(Ta=25℃)
参数
Parameter
符号
Symbol
测试条件
Test Conditions
最小值 典型值 最大值 单位
Min Typ Max Unit
Reverse Voltage
V_BR I_R=100uA
600
V
I_F=8A
Tc=25℃
1.4 1.7
V
Forward voltage
V_F
I_F=16A
Tc=25℃
1.7 2.1
V
I_F=8A
Tc=125℃
1.4 1.7
V
V_R=600V Ta=25℃
5
uA
Instantaneous Reverse Current I_R（_{Note 1}） V_R=480V Ta=125℃
300 uA
V_R=600V Ta=125℃
500 uA
Total Capacitance
C_T V_R=200V
25
pF
Reverse Recovery Time
注/Notes：
t_rr
I_F=0.5A
I_R=1.0A,
I_RR=0.25A
50
ns
1. 使用极短的测试时间，以尽量减少自热效应。/Short duration pulse test used to minimize self-heating
effect.
2. 除非特别注明，数值为一个芯片的参数。/ Unless otherwise noted, values for the parameters of a
single chip
http://www.fsbrec.com
2/6