LV10T100B Datasheet, PDF (2/6 Pages) Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. – Schottky Diode in a TO-263 Plastic Package

LV10T100B
Rev.F May.-2016
极限参数 / Absolute Maximum Ratings(Ta=25℃)
参数
Parameter
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average forward rectified current
Non Repetitive Peak Surge Current
Thermal Resistance Junction to Case
Junction and Storage Temperature Range
符号
Symbol
V_RM
V_RSM
V_DC
V_RMS
I_F(AV)
I_FSM
R_θJc
T_j T_stg
DATA SHEET
数值
Rating
100
70
1×10
200
2.8
-55～+150
单位
Unit
V
V
A
A
℃/W
℃
电性能参数 / Electrical Characteristics(Ta=25℃)
参数
Parameter
Reverse Voltage
Forward Voltage
Instantaneous Reverse Current
符号
测试条件
Symbol
Test Conditions
V_(BR)R I_R=1mA(Ta=25℃)
I_F =2A(Ta=25℃)
I_F =10A(Ta=25℃)
V_F
I_F =2A(Ta=125℃)
I_F =10A(Ta=125℃)
I_R
V_R=100V(Ta=25℃)
（Note 1） _{VR=100V(Ta=125℃)}
注/Notes：
1. 使用极短的测试时间，以尽量减少自热效应。
Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
2. 除非特别注明，数值为一个芯片的参数。
Unless otherwise noted, values for the parameters of a single chip
最小值 典型值 最大值
Min Typ Max
100
0.41 0.45
0.58 0.65
0.31 0.40
0.55 0.65
150
25
单位
Unit
V
V
V
V
V
μA
mA
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