NT256D64S88A2GM Datasheet, PDF (4/14 Pages) List of Unclassifed Manufacturers – 200pin One Bank Unbuffered DDR SO-DIMM

NT256D64S88A2GM
256MB : 32M x 64
PC2100 / PC1600 Unbuffered DDR SO-DIMM
Functional Block Diagram ( 1 Bank, 32Mx8 DDR SDRAMs )
S0
DQS0
DM0
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQS1
DM1
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQS2
DM2
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQS3
DM3
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DM
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
CS DQS
D0
DM CS DQS
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3 D1
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
DM
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
CS DQS
D2
DM
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
CS DQS
D3
S0
BA0-BA1
A0-A12
RAS
CAS
CKE0
WE
CS : SDRAMs D0 -D7
BA0 - BA1 : SDRAMs D0 -D7
A0 - A12: SDRAMs D0 -D7
RAS : SDRAMs D0 -D7
CAS : SDRAMs D0 -D7
CKE0 : SDRAMs D0 -D7
WE : SDRAMs D0 -D7
Serial PD
SCL
WP
A0 A1 A2
SDA
SA0 SA1 SA2
Notes :
1. DQ-to-I/O wring may be changed within a byte.
2. DQ/DQS/DM/CKE/S relationships are maintained as shown.
3. DQ/DQS/DM/DQS resistors are 22 Ohms.
4. VDDID strap connections (for memory device VDD, VDDQ):
STRAP OUT (OPEN): VDD = VDDQ
STRAP IN (VSS): VDD is not equal to VDDQ.
DQS4
DM4
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQS5
DM5
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DQS6
DM6
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DQS7
DM7
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
DM CS DQS
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3 _D4
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
DM CS DQS
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3 D5
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
DM CS DQS
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3 D6
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
DM CS DQS
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3 D7
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
CK0
CK0
CK1
CK1
CK2
CK2
120 ohm
120 ohm
120 ohm
SDRAM x 4
SDRAM x 4
SDRAM x 0
VDDQ
VDD
VREF
VSS
VDDID
D0 - D7
D0 - D7
D0 - D7
D0 - D7
Strap: see Note 4
Preliminary 01 / 2002
4
© NANYA TECHNOLOGY CORP.
NANYA TECHNOLOGY CORP. reserves the right to change Products and Specifications without notice.