DAN801_08 Datasheet, PDF (2/2 Pages) Diotec Semiconductor – Small Signal Diode Arrays

Characteristics
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Leakage current
Sperrstrom
Reverse recovery time
Sperrverzug
Thermal resistance junction to case
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
DAN801 / DAP801 (200 mW)
Tj = 25°C IF = 10 mA
VF
Kennwerte
< 1.0 V ¹)
Tj = 25°C VR = 20 V
IR
< 25 nA
IF = 10 mA through/über
trr
IR = 10 mA to IR = 1 mA
RthC
< 4 ns
< 85 K/W ²)
120
[%]
100
80
60
40
20
I_FAV
0
0 T_A 50
100
150 [°C]
Rated forward current versus ambient temperature¹)
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.¹)
1
[A]
10^-1
10^-2
T_j = 125°C
10^-3
T_j = 25°C
I_F
10^-4
0
V_F 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
1 Per diode – Pro Diode
2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 3 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2
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