DAN801_08 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – Small Signal Diode Arrays

DAN801 / DAP801 (200 mW)
DAN801 / DAP801 (200 mW)
Small Signal Diode Arrays
Diodensätze mit Allzweckdioden
Version 2008-06-06
24^±0.2
Type / Typ
3.5
Ø 0.5
Nominal power dissipation
Nenn-Verlustleistung
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
9-pin Plastic case
9-Pin Kunststoffgehäuse
8 x 2.54
Weight approx. – Gewicht ca.
Dimensions - Maße [mm]
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose im Karton
200 mW
80 V
24 x 3.5 x 6.6 [mm]
0.6 g
123456789
“DAN” common cathodes / gemeinsame Kathoden
2
456789
“DAP” common anodes / gemeinsame Anoden
Maximum ratings
Type
Typ
DAN801
DAP801
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V] ¹)
80
80
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V] ¹)
80
80
Max. average forward rectified current, R-load
for one diode operation only
for simultaneous operation
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
für eine einzelne Diode
bei gleichzeitigem Betrieb beider Dioden
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TA = 25°C
IFAV
IFAV
TA = 25°C
IFAV
IFAV
TA = 25°C
IFSM
Tj
TS
100 mA ²)
25 mA ²)
100 mA ²)
25 mA ²)
500 mA
-50...+150°C
-50...+150°C
1 Per diode – Pro Diode
2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 3 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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