DAN601 Datasheet, PDF (2/2 Pages) Diotec Semiconductor – Small Signal Diode Arrays

DAN 601 / DAP 601 (200 mW)
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T_j – 50…+150/C
T_S – 50…+150/C
Characteristics
Forward voltage
Durchlaßspannung
T_j = 25/C I_F = 10 mA
V_F
Leakage current
Sperrstrom
T_j = 25/C V_R = 20 V
I_R
Reverse recovery time
Sperrverzug
I_F = 10 mA through/über
t_rr
I_R = 10 mA to/auf I_R = 1 mA
Thermal resistance junction to ambient air
R_thA
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Kennwerte
< 1.0 V ¹)
< 25 nA
< 4 ns
< 85 K/W ²)
1_{) Valid per diode – Gültig pro Diode}
2_{) Leads kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case}
Anschlußdrähte in 3 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten
28.02.2002
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