DAN601 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – Small Signal Diode Arrays

DAN 601 / DAP 601 (200 mW)
Small Signal Diode Arrays
Dioden Sätze mit Allzweckdioden
Dimensions / Maße in mm
Nominal power dissipation
Nenn-Verlustleistung
200 mW
Repetitive peak reverse voltage
80 V
Periodische Spitzensperrspannung
7 Pin-Plastic case
7 Pin-Kunststoffgehäuse
18 x 3.5 x 6.6 [mm]
Weight approx. – Gewicht ca.
0.6 g
Standard packaging: bulk
see page 22
Standard Lieferform: lose im Karton s. Seite 22
"DAP": common anodes / gemeinsame Anoden
"DAN": common cathodes / gemeinsame Kathoden
Maximum ratings
Type
Typ
DAN 601
DAP 601
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V_RRM [V]
80
80
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V_RSM [V]
80
80
Max. average forward rectified current, R-load,
for one diode operation only
per diode for simultaneous operation
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last,
für eine einzelne Diode
pro Diode bei gleichzeitigem Betrieb
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
T_A = 25/C
I_FAV
100 mA ¹)
I_FAV
33 mA ¹)
T_U = 25/C
I_FAV
100 mA ¹)
I_FAV
33 mA ¹)
T_A = 25/C
I_FSM
500 mA
1_{) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case}
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 3 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
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28.02.2002