BC337 Datasheet, PDF (2/2 Pages) Motorola, Inc – Amplifier Transistor

General Purpose Transistors
Characteristics (T_j = 25/C)
Collector-Emitter breakdown voltage
Collector-Emitter Durchbruchspannung
I_C = 10 mA
BC 337
BC 338
V_(BR)CES
V_(BR)CES
I_C = 0.1 mA
BC 337
BC 338
V_(BR)CES
V_(BR)CES
Emitter-Base breakdown voltage
Emitter-Basis-Durchbruchspannung
I_E = 10 :A
V_(BR)EB0
Collector saturation volt. – Kollektor-Sättigungsspannung
I_C = 500 mA, I_B = 50 mA
V_CEsat
Base-Emitter voltage – Basis-Emitter-Spannung
V_CE = 1 V, I_C = 300 mA
V_BE
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
V_CE = 5 V, I_C = 10 mA, f = 50 MHz
f_T
Collector-Base Cap. – Kollektor-Basis-Kap.
V_CB = 10 V, f = 1 MHz
C_CB0
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Recommended complementary PNP transistors
Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren
BC 337 / BC 338
Kennwerte (T_j = 25/C)
Min.
Typ.
Max.
40 V
–
–
20 V
–
–
50 V
–
–
30 V
–
–
5V
–
–
–
–
0.7 V
–
–
1.2 V
–
100 MHz
–
–
12 pF
–
R_thA
200 K/W ¹)
BC 327 / BC 328
Available current gain groups per type
Lieferbare Stromverstärkungsgruppen pro Typ
BC 337-16 BC 337-25 BC337-40
BC 338-16 BC 338-25 BC338-40
1_{) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case}
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 2 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
01.11.2003
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