2N5172 Datasheet, PDF (2/2 Pages) Fairchild Semiconductor – NPN General Purpose Amplifier

2N5172
Characteristics (Tj = 25°C)
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. ²)
IC = 10 mA, IB = 1 mA
VCEsat
Base-Emitter saturation voltage – Basis-Emitter-Sättigungsspannung ²)
IC = 10 mA, IB = 1 mA
VBEsat
Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung
VCE = 10 V, IC = 10 mA
VBE(on)
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
VCE = 5 V, IC = 2 mA, f = 20 MHz
fT
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität
VCB = 5 V, IE =ie = 0, f = 1 MHz
CCB0
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
–
–
0.25 V
–
0.75 V
–
0.5 V
–
1.2 V
–
120 MHz
–
1.6 pF
–
10 pF
< 200 K/W ¹)
120
[%]
100
80
60
40
20
P_tot
0
0 T_A 50
100
150 [°C]
Power dissipation versus ambient temperature ¹)
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.¹)
2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
1 Valid if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2
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