PB1000_07 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – Silicon-Bridge-Rectifiers Silizium-Br-kengleichrichter

PB1000 ... PB1010, PB1000S ... PB1010S
PB1000 ... PB1010, PB1000S ... PB1010S
Silicon-Bridge-Rectifiers
Silizium-Brückengleichrichter
Version 2005-05-09
Type: PB...
Type: PB...S
Nominal current – Nennstrom
12.7^±0.3
10.9^±0.5
Alternating input voltage
Eingangswechselspannung
Ø 3.9
19^±0.2
Ø 3.6
_
15.1^±0.2
Type: PB... 19 x 19 x 6.8 [mm]
Plastic case – Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Type: PB...S 15.1 x 15.1 x 6.3 [mm]
6.8^±0.2
1.2
6.3^±0.5
1.0
Plastic case with Al-bottom –
Kunststoffgehäuse mit Alu-Boden
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Dimensions - Maße [mm]
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose im Karton
10 A
35...700 V
5.5 g
3.5 g
Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067
Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067
Maximum ratings
Type
Typ
PB1000 / PB1000S
PB1001 / PB1001S
PB1002 / PB1002S
PB1004 / PB1004S
PB1006 / PB1006S
PB1008 / PB1008S
PB1010 / PB1010S
Max. alternating input voltage
Max. Eingangswechselspannung
VRRM [V]
35
70
140
280
420
560
700
Grenzwerte
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRSM [V] ¹)
50
100
200
400
600
800
1000
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
f > 15 Hz
IFRM
TA = 25°C
IFSM
TA = 25°C
i²t
Tj
TS
50 A ²)
135/150 A ¹)
93 A²s
-50...+150°C
-50...+150°C
1 Per diode – Pro Diode
2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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