MMBT3904 Datasheet, PDF (1/2 Pages) NXP Semiconductors – NPN switching transistor

MMBT3904
MMBT3904
NPN
Surface Mount Si-Epi-Planar Switching Transistors
Si-Epi-Planar Schalttransistoren für die Oberflächenmontage
Version 2006-10-17
2.9 ^±0.1
1.1
0.4
3
Type
Code
1
2
1.9
Dimensions - Maße [mm]
1=B 2=E 3=C
Power dissipation – Verlustleistung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
NPN
250 mW
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
Maximum ratings (TA = 25°C)
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung E open VCBO
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
C open VEBO
Power dissipation – Verlustleistung
Ptot
Collector current – Kollektorstrom (dc)
IC
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Tj
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TS
Grenzwerte (TA = 25°C)
MMBT3904
40 V
60 V
6V
250 mW ¹)
200 mA
-55...+150°C
-55…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ²)
IC = 0.1 mA,
IC = 1 mA,
IC = 10 mA,
IC = 50 mA,
IC = 100 mA,
VCE = 1 V
VCE = 1 V
VCE = 1 V
VCE = 1 V
VCE = 1 V
h-Parameters at/bei VCE = 10 V, IC = 1 mA, f = 1 kHz
Small signal current gain – Kleinsignal-Stromverstärkung
Input impedance – Eingangs-Impedanz
Output admittance – Ausgangs-Leitwert
Reverse voltage transfer ratio – Spannungsrückwirkung
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
hFE
40
–
–
hFE
80
–
–
hFE
100
–
300
hFE
60
–
–
hFE
30
–
–
hfe
100
–
hie
1 kΩ
–
hoe
1 µS
–
hre
0.5*10^-4
–
400
10 kΩ
40 µS
8*10^-4
1 Mounted on P.C. board with 3 mm² copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm² Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1