MMBT2907 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Samsung semiconductor – PNP (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR)

MMBT2907, MMBT2907A
Switching Transistors
PNP
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage
Version 2004-05-04
Power dissipation – Verlustleistung
2.9 ^±0.1
1.1
0.4
3
Type
Code
1
2
1.9
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Dimensions / Maße in mm
1=B 2=E 3=C
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
PNP
250 mW
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
Maximum ratings (T_A = 25°C)
Collector-Emitter-voltage
B open
Collector-Base-voltage
E open
Emitter-Base-voltage
C open
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (dc)
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom
Junction temp. – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
- V_CE0
- V_CB0
- V_EB0
P_tot
- I_C
- I_CM
T_j
T_S
Grenzwerte (T_A = 25°C)
MMBT2907 MMBT2907A
40 V
60 V
60 V
5V
250 mW ¹)
600 mA
800 mA
150°C
- 65…+ 150°C
Characteristics (T_j = 25°C)
Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom
I_E = 0, - V_CB = 50 V
MMBT2709 - I_CB0
MMBT2709A - I_CB0
I_E = 0, - V_CB = 50 V, T_j = 150°C
- I_CB0
Collector saturation volt. – Kollektor-Sättigungsspg. ¹)
- I_C = 150 mA, - I_B = 15 mA
- I_C = 500 mA, - I_B = 50 mA
- V_CEsat
- V_CEsat
Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung ¹)
- I_C = 150 mA, - I_B = 15 mA
- I_C = 500 mA, - I_B = 50 mA
- V_BEsat
- V_BEsat
Kennwerte (T_j = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
–
–
20 nA
–
–
10 nA
–
–
20 µA
–
–
400 mV
–
–
1.6 V
–
–
1.3 V
–
–
2.6 V
1_{) Mounted on P.C. board with 3 mm}2 _{copper pad at each terminal}
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm² Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
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