MMBT2222A Datasheet, PDF (1/2 Pages) NXP Semiconductors – NPN switching transistor

MMBT2222A
MMBT2222A
NPN
Surface Mount Si-Epi-Planar Switching Transistors
Si-Epi-Planar Schalttransistoren für die Oberflächenmontage
Version 2015-05-12
0.4+0.1
-0.05
2.9 ^±0.1
3
Type
Code
1.1+0.1
-0.2
Power dissipation – Verlustleistung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
1
2
1.9^±0.1
Dimensions - Maße [mm]
1=B 2=E 3=C
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
NPN
250 mW
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
Maximum ratings (TA = 25°C)
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung
E open
VCBO
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
C open
VEBO
Power dissipation – Verlustleistung
Ptot
Collector current – Kollektorstrom (dc)
IC
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Tj
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TS
Grenzwerte (TA = 25°C)
MMBT2222A
40 V
75 V
6V
250 mW ¹)
600 mA
-55...+150°C
-55…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ²)
IC = 0.1 mA,
VCE = 10 V
hFE
IC = 1 mA,
VCE = 10 V
hFE
IC = 10 mA,
VCE = 10 V
hFE
IC = 150 mA,
VCE = 10 V
hFE
IC = 500 mA,
VCE = 10 V ²)
MMBT2222A hFE
h-Parameters at/bei VCE = 10 V, f = 1 kHz, IC = 1 mA / 10 mA
Small signal current gain
Kleinsignal-Stromverstärkung
MMBT2222A hfe
Input impedance – Eingangs-Impedanz
MMBT2222A hie
Output admittance – Ausgangs-Leitwert
MMBT2222A hoe
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
35
–
–
50
–
–
75
–
–
100
–
300
40
–
–
75
–
375
0.25 kΩ
–
1.25 kΩ
25 µS
–
200 µS
1 Mounted on P.C. board with 3 mm² copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm² Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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