F11K120_15 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – Rectifier with Overvoltage Protection

F11K120
F11K120
Protectifiers^® – LowVF-Rectifier with Overvoltage Protection
Protectifiers^® – LowVF-Gleichrichter mit Überspannungs-Schutz
Version 2013-12-06
Nominal current
11 A
Nennstrom
Ø 5.4 ^±0.1
Stand off voltage
Sperrspannung
120 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Ø 5.4 x 7.5 [mm]
(~ DO-201)
Weight approx. – Gewicht ca.
1.0 g
Ø 1.2 ^±0.05
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Dimensions - Maße [mm]
Low forward losses, high reverse pulse power capability
Niedrige Durchlass-Verluste, hohe Sperr-Belastbarkeit
Maximum ratings and Charactistics (TJ = 25°C)
Type
Typ
Stand-off voltage
Sperrspannung
Max. rev. current
Max. Sperrstrom
at/bei VWM
VWM [V]
ID [µA]
F11K120
120
5
Grenz- und Kennwerte (TJ = 25°C)
Breakdown voltage
Abbruch-Spannung
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF [V]
VBR min [V] @ IT [mA]
IF = 5A
IF = 11A
130
5
< 0.97
< 1.10
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Total steady state power dissipation
Gesamtverlustleistung im Dauerbetrieb
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Peak pulse power dissipation
Impuls-Verlustleistung
10/1000µs pulse ²)
Max. reverse peak pulse current
8/20µs pulse ³)
Max. Impuls-Strom in Sperr-Richtung
Rating for fusing, t < 10 ms – Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TL = 50°C
TA = 50°C
f > 15 Hz
TA = 25°C
TA = 25°C
TA = 25°C
TA = 25°C
IFAV
11 A ¹)
P_tot
5W
IFRM
50 A ¹)
IFSM
250/280 A
PPPM
700 W
IPPM
100 A
i²t
200 A²s
Tj
-50...+175°C
Tj
+200°C
TS
-50...+175°C
1 Valid, if leads are kept at TL at a distance of 3 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 3 mm Abstand vom Gehäuse auf TL gehalten werden
2 See curve I_PP = f (t) 10/1000µs – Siehe Kurve I_PP = f (t) 10/1000µs
3 See curve I_PP = f (t) 8/20µs – Siehe Kurve I_PP = f (t) 8/20µs
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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