DAF811A_11 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – Rectifier Arrays

DAF811A/K ... DAF814A/K (1.2 W)
DAF811A/K ... DAF814A/K (1.2 W)
Rectifier Arrays
Gleichrichtersätze
Version 2011-07-08
2.6^±0.2
Type / Typ
0.25
8 x 2.54
Dimensions - Maße [mm]
Nominal power dissipation
Nenn-Verlustleistung
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
9-pin Plastic case
9-Pin Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose im Karton
1.2 W
100...400 V
23 x 2.6 x 4.5 [mm]
0.6 g
12 3 4 5 6 7 8 9
“DAF811K...DAF814K”
common cathodes / gemeinsame Kathoden
123456789
“DAF811A...DAF814A”
common anodes / gemeinsame Anoden
Maximum ratings
Type
Typ
DA811A/K
DA814A/K
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V] ¹)
100
400
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V] ¹)
120
480
Max. power dissipation – max. Verlustleistung
Max. average forward rectified current, R-load
for one diode operation only
for simultaneous operation
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
für eine einzelne Diode
bei gleichzeitigem Betrieb beider Dioden
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TA = 25°C
Ptot
TA = 25°C
IFAV
IFAV
TA = 25°C
IFAV
IFAV
TA = 25°C
IFSM
Tj
TS
1.2 W ¹)
600 mA ²)
150 mA ²)
600 mA ²)
150 mA ²)
30 A
-50...+150°C
-50...+150°C
1 Per diode – Pro Diode
2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 3 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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