BY4_13 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – High Voltage Silicon Rectifier Diodes

BY4 ... BY16
Version 2013-04-03
7.3^±0.3
Ø 1.2^±0.05
BY4 ... BY16
High Voltage Silicon Rectifier Diodes
Silizium-Hochspannungs-Gleichrichterdioden
Nominal current
Nennstrom
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in Reel
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Dimensions - Maße [mm]
0.3 A ... 1 A
4000...16000 V
Ø 7.3 x 22 [mm]
1.9 g
Maximum ratings and Characteristics
Grenz- und Kennwerte
Type
Typ
Rep. peak reverse volt. Surge peak reverse volt. Max. forward current
Period. Spitzensperrspg. Stoßspitzensperrspg. Dauergrenzstrom
VRRM [V]
VRSM [V]
IFAV [A] ¹)
Forward volt.
Durchlass-Spg.
VF [V] ²)
BY4
4000
4000
1.0
< 4.0
BY6
6000
6000
1.0
< 6.0
BY8
8000
8000
0.5
< 8.0
BY12
12000
12000
0.5
< 10.0
BY16
16000
16000
0.3
< 15.0
Leakage Current
Sperrstrom
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Tj = 25°C
Tj = 100°C
TA = 25°C
VR = VRRM
VR = VRRM
IFSM
TA = 25°C i²t
Tj
TS
RthA
< 1 µA
< 25 µA
30 A
4.5 A²s
-50...+150°C
-50...+150°C
< 25 K/W ¹)
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature TA = 50°C at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden
2 At / Bei IFAV,Tj = 25°C
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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