BCV26_15 Datasheet, PDF (1/2 Pages) NXP Semiconductors – PNP Darlington transistors

BCV26
BCV26
PNP
Surface Mount Darlington Si-Epi-Planar Transistors
Si-Epi-Planar Darlington-Transistoren für die Oberflächenmontage
Version 2015-05-12
0.4+0.1
-0.05
2.9 ^±0.1
3
Type
Code
1
2
1.1+0.1
-0.2
1.9^±0.1
Dimensions - Maße [mm]
1=B 2=E 3=C
Power dissipation – Verlustleistung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
PNP
200 mW
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
Maximum ratings (TA = 25°C)
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (dc)
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
B open
E open
C open
- VCEO
- VCBO
- VEBO
Ptot
- IC
Tj
TS
Grenzwerte (TA = 25°C)
BCV26
30 V
40 V
10 V
200 mW ¹)
500 mA
-55...+150°C
-55…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ²)
- VCE = 5 V, - IC = 1 mA
hFE
- VCE = 5 V, - IC = 10 mA
hFE
- VCE = 5 V, - IC = 100 mA
hFE
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. ²)
- IC = 100 mA, - IB = 0.1 mA
- VCEsat
Base-Emitter saturation voltage – Basis-Emitter-Sättigungsspannung ²)
- IC = 100 mA, - IB = 0.1 mA
- VBEsat
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
4000
–
–
10000
–
20000
–
–
–
–
1.0 V
–
–
1.5 V
1 Mounted on P.C. board with 3 mm² copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm² Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1