BC337_07 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors

BC337 / BC338
BC337 / BC338
NPN
General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors
Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz
Version 2006-05-30
Power dissipation
Verlustleistung
Plastic case
CBE
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
2 x 2.54
Dimensions - Maße [mm]
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
NPN
625 mW
TO-92
(10D3)
0.18 g
Maximum ratings (TA = 25°C)
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung E-B short VCES
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open
VCEO
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
C open
VEBO
Power dissipation – Verlustleistung
Ptot
Collector current – Kollektorstrom (dc)
IC
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom
ICM
Base current – Basisstrom
IB
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Tj
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TS
Grenzwerte (TA = 25°C)
BC337
BC338
50 V
30 V
45 V
25 V
5V
625 mW ¹)
800 mA
1A
100 mA
-55...+150°C
-55…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ²)
VCE = 1 V, IC = 100 mA
Group -16
hFE
Group -25
hFE
Group -40
hFE
VCE = 1 V, IC = 300 mA
Group -16
hFE
Group -25
hFE
Group -40
hFE
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. ²)
IC = 500 mA, IB = 50 mA
VCEsat
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
100
160
250
160
250
400
250
400
630
60
130
–
100
200
–
170
320
–
–
–
0.7 V
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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