BAW56_07 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – Surface Mount Small Signal Double-Diodes

BAW56
BAW56
Surface Mount Small Signal Double-Diodes
Kleinsignal-Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2006-07-11
Power dissipation – Verlustleistung
2.9 ^±0.1
1.1
0.4
3
Type
Code
1
2
1.9
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Dimensions - Maße [mm]
1 = C1 2 = C2 3 = A1/A2
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
310 mW
85 V
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
Maximum ratings (TA = 25°C)
per diode / pro Diode
Power dissipation − Verlustleistung ¹)
Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc)
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
tp ≤ 1 s
tp ≤ 1 ms
tp ≤ 1 µs
Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung
Reverse voltage – Sperrspannung (dc)
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Grenzwerte (TA = 25°C)
BAW56
Ptot
310 mW ²)
IFAV
250 mA ²)
IFRM
450 mA ²)
IFSM
0.5 A
IFSM
1A
IFSM
2A
VRRM
85 V
VR
70 V
Tj
-55...+150°C
TS
-55…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Leakage current ³)
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 150°C
Tj = 150°C
IF = 1 mA
IF = 10 mA
IF = 50 mA
IF = 150 mA
VR = 70 V
VR = 25 V
VR = 70 V
Kennwerte (Tj = 25°C)
VF
< 715 mV
VF
< 855 mV
VF
< 1.0 V
VF
< 1.25 V
IR
< 100 nA
IR
< 30 µA
IR
< 50 µA
1 Total power dissipation of both diodes − Summe der Verlustleistungen beider Dioden
2 Mounted on P.C. board with 3 mm² copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm² Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
3 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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