MUR810F Datasheet, PDF (1/2 Pages) Yangzhou yangjie electronic co., ltd – Ultra-Fast Recovery Rectifier Diodes

MUR810F THRU MUR860F
超快恢复整流二极管 Ultra-Fast Recovery Rectifier Diodes
■特征 Features
● I_o
8.0A
● V_RRM
100V~600V
● 玻璃钝化芯片 Glass passivated chip
● 耐正向浪涌电流能力高
High surge forward current capability
■用途 Applications
● 快速整流用
High speed switching
■外形尺寸和印记 Outline Dimensions and Mark
ITO-220AC
.406(10.3)
MAX
.112(2.85)
.100(2.55)
.161(4.1)
MAX
PIN1 2
.55(1.4)
MAX
.035(0.9)
MAX
.203(5.15)
.195(4.95)
.134(3.4)
.113(3.0)
DIA
.124(3.16)
MAX
.606(15.5)
.583(14.8)
.543(13.8)
.512(13.2)
.110(2.8)
.098(2.5)
PIN1
PIN2
CASE
.185(4.7)
MAX
.030(0.76)
MAX
■极限值（绝对最大额定值）
Limiting Values（Absolute Maximum Rating）
Dimensions in inches and (millimeters)
参数名称
符号 单位
测试条件
Item
Symbol Unit
Conditions
反向重复峰值电压
Repetitive Peak Reverse Voltage
平均整流输出电流
Average Rectified Output Current
正向（不重复）浪涌电流
Surge(Non-repetitive)Forward Current
V_RRM
I_o
I_FSM
V
A
60H_Z 正弦波，电阻负载，T_a=25℃
60H_Z sine wave, R- load, T_a=25℃
A
60H_Z正弦波，一个周期，T_a=25℃
60H_Z sine wave, 1 cycle, T_a=25℃
正向浪涌电流的平方对电流浪涌持续
时间的积分值
I²t
A²s
Current Squared Time
1ms≤t＜8.3ms T_j=25℃
810F
100
贮存温度
Storage Temperature
T_stg
℃
MUR
815F 820F 840F 860F
150 200 400 600
8
125
65
-55 ~ +150
结温
Junction Temperature
T_j
℃
■电特性 （T_a=25℃ 除非另有规定）
Electrical Characteristics（T_a=25℃ Unless otherwise specified）
参数名称
Item
符号 单位
Symbol Unit
测试条件
Test Condition
正向峰值电压
Peak Forward Voltage
反向峰值电流
Peak Reverse Current
反向恢复时间
Reverse Recovery Time
V_FM
I_RRM1
I_RRM2
Trr
V
I FM =8.0A
μA
V_RM =V_RRM
Ta=25℃
Ta=125℃
I_F=0.5A I_RM=1A
ns
I_RR=0.25A
-55 ~ +150
MUR
810F 815F 820F 840F 860F
0.95
1.25 1.7
10
500
35
50
热阻
结和壳之间
2.0
Thermal Resistance
R_θJ-C
℃/W
Between junction and case
Document Number 0158
Rev. 1.0, 22-Sep-11
扬州扬杰电子科技股份有限公司
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
www.21yangjie.com