MBSK12M Datasheet, PDF (1/2 Pages) Yangzhou yangjie electronic co., ltd – Schottky Bridge Rectifier

MBSK12M THRU MBSK110M
肖特基桥式整流器 Schottky Bridge Rectifier
■特征 Features
● I_o
1.0A
● V_RRM
20V~100V
● 肖特基芯片
Schottky chip
● 耐正向浪涌电流能力高
High surge forward current capability
● 低正向电压
Low VF
■用途 Applications
● 作一般电源单相桥式整流用
General purpose 1 phase Bridge
rectifier applications
■极限值（绝对最大额定值）
■外形尺寸和印记 Outline Dimensions and Mark
MBM
.157(4.00) .287(7.3)
.142(3.60) .248(6.3)
.209(5.3)
.189(4.8)
.193(4.90)
.177(4.50)
.033(0.84)
.022(0.56)
.053(1.53)
.037(0.95)
.013(0.33)
.0088(0.22)
.106(2.70)
.090(2.30)
.252(6.4)
.236(6.0)
.109(2.75)
.089(2.25)
Dimensions in inches and (millimeters)
Limiting Values（Absolute Maximum Rating）
参数名称
Item
符号 单位
Symbol Unit
条件
Conditions
反向重复峰值电压
Repetitive Peak Reverse
Voltage
V_RRM
V
MBSK
12M 14M 16M 18M 110M
20
40
60
80
100
平均整流输出电流
Average Rectified Output
Current
I_O
A
60Hz正弦波，电阻负载，Ta=25℃
60Hz sine wave, R-load, Ta=25℃
1.0
正向（不重复）浪涌电流
Surge(Non-
I_FSM
A
repetitive)Forward Current
60H_Z正弦波，一个周期，T_j=25℃
60H_Z sine wave, 1 cycle, T_j=25℃
正向浪涌电流的平方对电流
浪涌持续时间的积分值
I²t
A²S
1ms≤t<8.3ms Tj=25℃，单个二极管
1ms≤t<8.3ms Tj=25℃，Rating of per diode
Current Squared Time
存储温度
Storage Temperature
T_stg
℃
结温
Junction Temperature
T_j
℃
■电特性 （Ta=25℃ 除非另有规定）
Electrical Characteristics（T_a=25℃ Unless otherwise specified）
参数名称
符号 单位
测试条件
Item
Symbol Unit
Test Condition
40
6.6
-55 ~+150
-55 ~+150
最大值
Max
正向峰值电压
Peak Forward Voltage
I_FM=0.5A, 脉冲测试，单个二极管的额定值
V_FM
V I_FM=0.5A, Pulse measurement, Rating of per
diode
0.55
0.65
0.85
反向峰值电流
Peak Reverse Current
V_RM=V_RRM ,脉冲测试，单个二极管的额定值
I_RRM
mA VRM=VRRM , Pulse measurement, Rating of
per diode
0.5
结和环境之间，安装在玻璃-环氧基板上
热阻
R_θJ-A
Between junction and ambient, On glass-
134
℃/W
epoxi substrate
Thermal Resistance
R_θJ-L
结和引线之间
Between junction and lead
20
Document Number 0005
Rev. 1.0, 22-Sep-11
扬州扬杰电子科技股份有限公司
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
www.21yangjie.com